一、填空題（30 分=1 分*30）10 題/章晶圓制備1 用來(lái)做芯片的高純硅被稱為（ 半導(dǎo)體級(jí)硅 ），英文簡(jiǎn)稱（ GSG），有時(shí)也被稱為（2 單晶硅生長(zhǎng)常用（ CZ 法 ）和（ 區(qū)熔法 ）兩種生長(zhǎng)方.
歡迎閱讀本文檔，希望本文檔能對(duì)您有所幫助！一、填空題（30分=1分*30）10題/章晶圓制備1 用來(lái)做芯片的高純硅被稱為（ 半導(dǎo)體級(jí)硅 ），英文簡(jiǎn)稱（ GSG ），有時(shí)也被稱為（ 電子級(jí)硅 ）。2 單.
集成電路工藝原理期末試題 ; 電子科技大學(xué)成都學(xué)院二零一零至二零一一學(xué)年第二學(xué)期 集成電路工藝原理 課程考試題A卷120分鐘一張A4紙開(kāi)卷教師： 鄧小川 一二三四五六七八九十總分評(píng)卷教師1、 名詞解釋.
一、填空題（30 分=1 分*30）10 題/章 晶圓制備1 用來(lái)做芯片的高純硅被稱為（ 半導(dǎo)體級(jí)硅 ），英文簡(jiǎn)稱（ GSG ），有時(shí)也被稱為（ 電子級(jí)硅 ）。 2單晶硅生長(zhǎng)常用（ CZ 法 ）和（ .
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集成電路工藝原理2第一講 前言第二講 實(shí)驗(yàn)室凈化及硅片清洗第三講 光刻原理 1第四講 光刻原理 2第五講 熱氧化原理 1第六講 熱氧化原理 2第七講 擴(kuò)散原理 1第八講 擴(kuò)散原理 2第九講 離子注入原.
372.065.1.01集成電路工藝原理第三講第三講 光刻原理光刻原理 1 1集成電路工藝原理 仇志軍ftp:/10.12.241.99(username&password:vlsi)邯鄲路校區(qū)物理樓.
INFO130024.02集成電路工藝原理第四章第四章 光刻原理光刻原理(上上)集成電路工藝原理 仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室1INFO130024.02集成電路工藝原理第四章第四章 光刻原理光刻原理.
實(shí)驗(yàn)五圖形化剝離工藝實(shí)驗(yàn)樊敬堯 1100012788一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?、掌握?qǐng)D形化剝離工藝的基本原理2、掌握?qǐng)D形化剝離工藝的工藝步驟3、學(xué)習(xí)利用圖形化剝離工藝制備實(shí)驗(yàn)樣品二、實(shí)驗(yàn)原理剝離法是一種采用犧牲.
